高真空磁控溅射镀膜系统：厂商沈阳美济真空科技有限公司。（品牌：美济真空）型号MJCK-500，产品实用可靠，自动化程度高，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大，热处理部分也在原来的设备基础上全面改进升级了，完全满足国内高等院校和科研院所的需要。

高真空磁控溅射镀膜系统性能参数，基片尺寸：≥110×110mm，基片加挡板。基片台：基片台旋转，转速0-25rpm连续可调，光控定位；

　　MJCK550磁控溅射镀膜设备样品台样片架可公转，可自转，可升降，基片加热温度1300度。超高真空分子束外延室与磁控溅射联合实验平台系统，左边数第一个第二个真空室是分子束外延室真空度可达2X10-7Pa，基片加热温度1700度，第三个是进样室，第四个是磁控溅射室，磁控溅射室基片加热温度1300度

高真空多靶磁控溅射镀膜系统 性能参数，本台设备主要是以磁控溅射的方式实现镀膜功能的，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大。系统主要由四靶溅射室，MJCB-200型磁控溅射靶,样品转台、真空系统、真空测量系统、气路系统、电控系统,直流电源、和计算机控制镀层系统等组成。

基片尺寸：≥110×110mm，基片加挡板。基片台：基片台旋转，转速0-25rpm连续可调，光控定位；衬底加热：采用真空专用加热器，室温～1500℃可调可控；

设备用途：该设备是一种超高真空多靶磁控溅射沉积镀膜实验平台，用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金属薄膜。该设备可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜，完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连，可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗，并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。

设备用途：该设备是一种超高真空多靶磁控溅射沉积镀膜实验平台，用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金属薄膜。该设备可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜，完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连，可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗，并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。

本系统为高真空磁控溅射镀膜设备，用于通过磁控溅射法沉积非金属与金属膜，用户可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜，完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空闸板阀与主腔室相连，可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗，并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片,样片载体为直线运动的传递机构。