1、基片尺寸：≥110×110mm，基片加挡板。
2、基片台：基片台旋转，转速0-25rpm连续可调，光控定位；
衬底加热：采用真空专用加热器，室温～1500℃可调可控；
反溅清洗；采用射频电源对基片表面进行“清洗/活化”；
3、基片架转速0～25转/分，可控可调。
4、基片架可加热、可旋转、可升降。
5、靶面到基片距离60～90mm可调。
6、Ф3英寸圆形平面磁控溅射永磁靶；可镀铁磁材料的磁控溅射靶1支，可镀普通靶材的磁控溅射靶1支；靶材尺寸Ф3英寸。
7、镀膜室极限真空：≤5×10-5Pa，抽至 10-4Pa≤20min；。
8、速率和膜厚监控：石英晶振膜厚仪，在线监测蒸发速率，监控膜厚；厚度监测范围：1Å～99999Å，分辨率1Å；速率监测范围：0.1Å～99.9Å /s，分辨率0.1Å；
