高真空磁控溅射镀膜系统性能参数
1、基片尺寸：≥110×110mm，基片加挡板。
2、基片台：基片台旋转，转速0-25rpm连续可调，光控定位；
基片翻转角度可达180度。
衬底加热：采用真空专用加热器，室温～1300℃可调可控；
衬底冷却：基片衬底可水冷冷却；
离子清洗；采用射频离子源对基片表面进行“清洗/活化”；
3、基片架转速0～25转/分，可控可调。
4、基片架可加热、可旋转、可翻转、可升降。
5、靶面到基片距离60～180mm可调。
6、Ф3英寸圆形平面磁控溅射永磁靶；可镀铁磁材料的磁控溅射靶1支，可镀普通靶材的磁控溅射靶2支；靶材尺寸Ф3英寸。该磁控溅射靶可在0.1Pa-1Pa之间真空度长时间稳定起辉，无灭弧现象。
7、镀膜室极限真空：≤5×10-5Pa，抽至 10-4Pa≤20min；。
8、速率和膜厚监控：石英晶振膜厚仪，在线监测蒸发速率，监控膜厚；厚度监测范围：1Å～99999Å，分辨率1Å；速率监测范围：0.1Å～99.9Å /s，分辨率0.1Å；
9、磁控溅射靶电源：1 台1000VA 直流溅射电源； 2台500VA 射频电源，频率13.56MHz。
10、气路系统：两路工艺气体MFC 控制，量程范围为0～20SCCM\0～100SCCM；
11、缺水欠压检测与保护、强电相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护。
12、MJCK-600高真空磁控溅射镀膜系统现货价：80万元人民币。
