高真空多靶磁控溅射镀膜系统 性能参数
1、本台设备主要是以磁控溅射的方式实现镀膜功能的，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大。
2、系统主要由四靶溅射室，MJCB-200型磁控溅射靶,样品转台、真空系统、真空测量系统、气路系统、电控系统,直流电源、和计算机控制镀层系统等组成。
3、 溅射室：为约Ф600mm×500mm不锈钢圆柱形腔体。溅射室前开门密封方式，外表采用喷丸和电解抛光工艺处理，上盖密封方式并电动提升，真空室内设有不锈钢防污板。前面和侧面各装有一个观察窗CF100,一个四芯引线等。下面装有4个MJCB-200型磁控溅射靶，靶基距可调,该磁控溅射靶可在0.1Pa-1Pa之间真空度长时间稳定起辉，无灭弧现象，适应于Mo、Si、Ru等金属和半导体材料的镀膜; 每块靶有独立的匀气环，下面装有4个RF兼容磁控靶，四靶之间装有隔板防止交叉污染。CF150备用法兰，二个进气阀法兰等。真空室可内烘烤100～150℃，极限真空5×10-5Pa。
4、样品台：一个样品位，样品直径220mm，可自转，可公转和可升降，靶基距可调；公转的转速可随位置自动调节（可编程）也可在设定靶位下停留设定时间。样品台公转转速0-5rpm，公转位置控制精度0.1˚；自转转速0-500rpm，样品台可调节高度：50-150mm；承重不超过40kg。
5、MJCK-600高真空磁控溅射镀膜系统现货价：70万元人民币。
