MJCK550磁控溅射镀膜设备样品台样片架可公转，可自转，可升降，基片加热温度1300度。
超高真空分子束外延室与磁控溅射联合实验平台系统，左边数第一个第二个真空室是分子束外延室真空度可达2X10-7Pa，基片加热温度1700度，第三个是进样室，第四个是磁控溅射室，磁控溅射室基片加热温度1300度
MJCK550磁控溅射镀膜设备样品台样片架可公转，可自转，可升降，基片加热温度1300度。
超高真空分子束外延室与磁控溅射联合实验平台系统，左边数第一个第二个真空室是分子束外延室真空度可达2X10-7Pa，基片加热温度1700度，第三个是进样室，第四个是磁控溅射室，磁控溅射室基片加热温度1300度