铜铟镓硒柔性CIGS薄膜太阳能电池是三元化合物CIS基础上掺入Ga而形成四元化合物。对Cu、In、Ga叠层膜进行硒化时，膜的成分为CuIn0.6Ga0.4Se2。

分子束外延（MBE）是一种可在原子尺度上精确控制外延厚度、掺杂和界面平整度的超薄层薄膜制备技术，是在一定的单晶体材料衬底上，沿着衬底的某个指数晶面向外延伸生长一层单晶薄膜。外延单晶薄膜在纯度和性能上有比体单晶材料有明显的改善，而且用外延术可以制造很难用其他方法制造的大面积或特殊材料的单晶薄膜。

磁控溅射室可镀有效尺寸≦Φ50㎜衬底一片，基片加热温度：室温～1000℃，旋转速度1～20转/分。靶轴与真空室轴夹角70º靶面到衬底距离±50mm在线可调，偏摆可调±15°。极限真空：2×10-6Pa、恢复真空7×10-4Pa：30～40分钟（充干燥氮气）。

该设备是一种多功能磁控溅射镀膜设备，适用于镀制各种单层膜、多层膜及搀杂膜系。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜(需配射频电源)、介质复合膜和其它化学反应膜。

1200L/S分子泵、KF40高真空截止阀、KF40波纹管管路、KF40不锈钢三通、KF40真空充气阀、高低真空计、CF200超高真空气动闸板阀一台、CF35超高真空气动角阀一支以及9L/S机械泵机组一套；

蒸镀室是以电阻加热的方式实现蒸发镀膜功能的，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在需镀衬底上蒸镀各种金属单层或多层膜，适用于实验室制备金属、氧化物、介质、扫描电镜制样等，也可用作教学及生产线前期工艺试验等，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大，适合及满足院校的教学与科研。本设备由于采用了超高真空密封技术，极限真空高，恢复工作真空时间短；整机主要采用金属密封技术及超高真空阀门，前后开门采用氟胶圈，真空管路用不锈钢金属波纹管路，避免了传统结构带来的安装维护困难的问题。

公司拥有真空机械加工厂，有数控车床，数控剪板机，数控折弯机，氩弧焊机，其它如超高真空检漏仪、超声波清洗机等，研发制造的真空产品能够满足客户要求。

平台用途：该平台是一种超高多靶磁控溅射沉积—多功能电子束—分子束联合蒸发镀膜实验平台，用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜及Fe和Cu等金属薄膜，用超高真空电子束—分子束联合蒸发镀膜的方法制备Ti、Al和Cu等金属电极膜及化合物、半导体薄膜，同时还可以用于基片和薄膜的等离子清洗退火。