磁控溅射性能参数
磁控溅射室可镀有效尺寸≦Φ50㎜衬底一片，基片加热温度：室温～1000℃，旋转速度1～20转/分。靶轴与真空室轴夹角70º靶面到衬底距离±50mm在线可调，偏摆可调±15°。极限真空：2×10-6Pa、恢复真空7×10-4Pa：30～40分钟（充干燥氮气）。
磁控溅射室可镀有效尺寸≦Φ50㎜衬底一片，基片加热温度：室温～1000℃，旋转速度1～20转/分。靶轴与真空室轴夹角70º靶面到衬底距离±50mm在线可调，偏摆可调±15°。极限真空：2×10-6Pa、恢复真空7×10-4Pa：30～40分钟（充干燥氮气）。