磁控溅射设备性能参数：
1、极限真空：2×10-6Pa。可镀最大直径4英寸基片一片。恢复真空：从大气到7×10-4Pa ≦30min（新平台充干燥氮气）。平台总体漏率：关机12小时真空度≤1Pa。
分子束外延设备性能参数：
1、极限真空：5×10-7Pa。（配400L/S离子泵及2000L/S升华泵后极限真空可达2×10-8Pa）可镀最大直径4英寸基片一片。恢复真空：从大气到7×10-4Pa ≦40min（新设备充干燥氮气），设备总体漏率：关机12小时真空度≤0.2Pa。
